Московский физико-технический институт (государственный университет)

Лекция нобелевского лауреата Жореса Ивановича Алфёрова

В пятницу, 28-го ноября, в 1530 в концертном зале МФТИ в рамках 51-й научной конференции МФТИ состоится лекция нобелевского лауреата Жореса Ивановича Алфёрова «Полупроводниковые гетероструктуры — основа развития современной электроники и высокоэффективной энергетики».

Приглашаем вас принять участие в 51-й научной конференции МФТИ. Научные направления конференции: классическая и прикладная математика, теоретическая и экспериментальная физика, радиотехника и кибернетика, физическая и квантовая электроника, нанотехнологии, химическая физика, биофизика и биотехнологии, информационные и телекоммуникационные системы, компьютерные науки, авиация и космические исследования, энергетика и энергосбережение, инновации в науке и образовании, прикладная экономика.

Программа на 28 ноября (начало в 1530):

  1. Вступительное слово — Кудрявцев Н. Н. (ректор МФТИ, чл.-корр. РАН);
  2. Полупроводниковые гетероструктуры — основа развития современной электроники и высокоэффективной энергетики — Алфёров Ж. И. (вице-президент РАН, нобелевский лауреат).

Программа конференции и тезисы представленных докладов размещены на сайте МФТИ.

Контакты

141700, Московская облаcть,
г. Долгопрудный,
Институтский пер., 9.
+7 (495) 408-45-54
info@mipt.ru

ЗФТШ

Заочное отделение:
+7 (495) 408-51-45
Очное отделение:
+7 (499) 755-55-80

Магистратура

+7 (495) 408-48-00
+7 (906) 715-44-49
magistr@mipt.ru